时间：2025/5/12 18:32:40
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IPB108N15N3 G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Infineon（英飞凌）生产。该器件专为高效率和高性能应用设计，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效功率转换的场合。
该 MOSFET 使用了 Trench 技术以优化导通电阻和开关性能，并采用了 TO-263 (DPAK) 封装形式，具备良好的散热特性和易于安装的特点。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：41nC
开关速度：快
封装类型：TO-263 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，可提高效率并降低功耗。
2. 快速开关特性使其非常适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能力和高可靠性确保在异常条件下也能稳定运行。
4. 小型化 DPAK 封装提供出色的热性能，简化 PCB 设计。
5. 宽工作温度范围支持在极端环境下的可靠操作。
IPB108N15N3 G 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理与保护电路
5. 照明系统中的 LED 驱动
6. 工业自动化设备中的功率级
IPD108N15N3 G, IRF640, FDP150N15AE
